本文標(biāo)題："實(shí)驗(yàn)檢測(cè)用電子顯微鏡-分辨率非常高的表面特征"
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實(shí)驗(yàn)檢測(cè)用電子顯微鏡-分辨率非常高的表面特征
由于大多數(shù)試樣在通常狀態(tài)下，對(duì)直接用于研究來說都不夠薄，
因此減薄試樣是透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)程序中的重要一環(huán).如果需要
研究的是比較厚的復(fù)合材料中的單個(gè)薄層，
則寧可采取剝層而不是減薄的辦法.例如，若要研究集成電路中200
埃厚的N i/Cr電阻器的結(jié)構(gòu)時(shí)，則可先從電路塊背面相繼去除一個(gè)
小區(qū)域中的硅和氧化硅，并從正面去除保護(hù)授蓋層.于是電阻膜將
由沒有去掉的硅支撐著:
這樣可以固定整個(gè)組件以供檢測(cè).只有當(dāng)需要分辨率非常高的表
面特征時(shí)才應(yīng)該使用表面復(fù)型法，否則掃描電子顯微鏡更為便
利.
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