本文標(biāo)題："掃描式電子顯微鏡觀察錫球或晶圓封裝"
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掃描式電子顯微鏡觀察錫球或晶圓封裝
隨著可攜式電子產(chǎn)品和通訊儀器的快速發(fā)展，都趨向于輕、薄、短、小的特性發(fā)展，所以電子封裝也朝著這方向而努力發(fā)展，
而晶圓級封裝(WLCSP)因為輕薄短小的特性已經(jīng)廣泛的應(yīng)用在可攜式電子產(chǎn)品上，
預(yù)估其將在未來成為主流趨勢，卻因可攜式電子產(chǎn)品可以隨身攜帶或移動，造成其破壞失效的狀況發(fā)生可能多到不計其數(shù)，
而且其使用環(huán)境也不盡然一樣，但大多可歸咎于錫球接點很容易在動態(tài)負(fù)荷下產(chǎn)生損壞，進而造成電子元件無法正常運作，所以對封裝體進行反覆負(fù)載的研究愈來愈受重視。
本文對晶圓級封裝體結(jié)構(gòu)分為鈍化層(Passivation)、重新佈線層(RDL)、凸塊底層金屬(UBM)等參數(shù)，將各組不同晶圓級封裝體進行三種可靠度試驗，
分別為掉落衝擊試驗、彎曲循環(huán)試驗、溫度循環(huán)試驗，并以韋伯分佈表示晶圓級封裝體的特征壽命，觀察結(jié)構(gòu)對其壽命週期之影響，
另外以紅染料試驗分析失效錫球之分佈位置并推測最早失效錫球可能出現(xiàn)之地方，
也使用掃描式電子顯微鏡觀察錫球或晶圓級封裝體上裂縫出現(xiàn)之位置，推論裂縫可能之路徑。
三種實驗互相比較之后，以掉落衝擊實驗觀察到晶圓級封裝體結(jié)構(gòu)與特征壽命有明顯關(guān)系，
以往掉落衝擊常會造成錫球介金屬(IMC)產(chǎn)生裂縫，而晶圓級封裝體結(jié)構(gòu)則觀察到其裂縫轉(zhuǎn)變?yōu)榈诙逾g化層與凸塊底層金屬界面之角落。
三種實驗后之晶圓級封裝體失效錫球位置一致性地分佈于封裝體之角落。
溫度循環(huán)實驗之失效錫球在掃描式電子顯微鏡下，觀察到不同組之失效錫球有著類似相同之失效機制，其裂縫橫切過錫球，位置在錫球體上靠近封裝體側(cè)。
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